特長

• フルシンタリング
  プロセスに応じた対応が可能（加圧/無加圧、 Air/N₂ 雰囲気下等）
  
  
• セミシンタリング
  低銀含有率での高熱伝導率とベアチップ面への高密着を両立

コア技術

マイクロ銀を使用し独自焼結促進技術により高熱伝導化を実現

項目	マイクロ銀	ナノ銀
サイズ	0.5～5μm	10～100nm
健康への影響	小	大
有機成分含有量	小	大
凝集のリスク	小	大
シンタリング進行	進みにくい	進みやすい

マイクロ銀＋焼結促進技術

セミシンタリング

フルシンタリング
Agの高焼結を実現

ラインナップ

用途

Discrete, High Power LED, Power IC, Power module(Si IGBT, SiC, GaN)